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首页 全部分类 NTP6410ANG vs AUIRF3504

NTP6410ANG备选型号: AUIRF3504

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  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 系列
  • 附加功能
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NTP6410ANG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH
    9 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    NO
    TO-220-3
    通孔
    3
    4.535924g
    SILICON
    76A Tc
    2009
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    3
    Single
    增强型MOSFET
    188W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    13m Ω @ 76A, 10V
    4V @ 250μA
    4500pF @ 25V
    120nC @ 10V
    170ns
    ±20V
    190 ns
    76A
    TO-220AB
    20V
    100V
    500 mJ
    4 V
    4.82mm
    10.28mm
    15.75mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF3504
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 87A TO-220AB
    8 Weeks
    -
    -
    TO-220-3
    通孔
    3
    -
    SILICON
    87A Tc
    2011
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    143W
    DRAIN
    9.9 ns
    N-Channel
    9.2m Ω @ 52A, 10V
    4V @ 100μA
    2150pF @ 25V
    54nC @ 10V
    61ns
    ±20V
    29 ns
    87A
    TO-220AB
    20V
    40V
    -
    2 V
    16.51mm
    10.66mm
    4.82mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    -
    Tin
    通孔
    HEXFET®
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    SWITCHING
    2V
    0.0092Ohm
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