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首页 全部分类 NTP6412ANG vs NDPL070N10BG

NTP6412ANG备选型号: NDPL070N10BG

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  • 无铅代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
  • 电阻
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    NTP6412ANG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    NO
    TO-220-3
    Tin
    通孔
    3
    4.535924g
    SILICON
    167W Tc
    2009
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    18.2MOhm
    3
    Single
    增强型MOSFET
    167W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    18.2m Ω @ 58A, 10V
    4V @ 250μA
    3500pF @ 25V
    100nC @ 10V
    140ns
    ±20V
    126 ns
    58A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    240A
    4 V
    4.82mm
    15.75mm
    10.28mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NDPL070N10BG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NDPL070N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 4 V
    -
    4 Weeks
    -
    TO-220-3
    -
    通孔
    3
    -
    -
    70A Ta
    -
    Tube
    175°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30 ns
    N-Channel
    10.8m Ω @ 35A, 15V
    4V @ 1mA
    2010pF @ 50V
    26nC @ 10V
    180ns
    ±20V
    40 ns
    70A
    4V
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Surface Mount, Through Hole
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    100V
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NDPL070N10BG NDPL070N10BG ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 ON SEMICONDUCTOR NDPL070N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 4 V 对比