NTP85N03备选型号: NTP65N02RG

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    85A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    28V
    240
    not_compliant
    85A
    30
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6.8m Ω @ 40A, 10V
    3V @ 250μA
    2150pF @ 24V
    29nC @ 4.5V
    22ns
    ±20V
    30 ns
    85A
    TO-220AB
    20V
    15A
    0.0068Ohm
    28V
    45A
    61 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    7.6A Ta 58A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    24V
    260
    -
    65A
    40
    3
    -
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1330pF @ 20V
    9.5nC @ 4.5V
    53ns
    ±20V
    10 ns
    58A
    TO-220AB
    20V
    7.6A
    0.0105Ohm
    24V
    160A
    60 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    3
    yes
    25V
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