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首页 全部分类 NTQD6968N vs DMN2040LTS-13

NTQD6968N备选型号: DMN2040LTS-13

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  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 系列
  • 无铅代码
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTQD6968N
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e0
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    逻辑电平兼容
    20V
    1.39W
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    7A
    未说明
    8
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.81W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22m Ω @ 7A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    630pF @ 16V
    17nC @ 4.5V
    25ns
    25 ns
    6.2A
    12V
    0.03Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2040LTS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    SILICON
    6.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    低温保持
    -
    890mW
    鸥翼
    260
    -
    -
    40
    8
    -
    -
    增强型MOSFET
    890mW
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    26m Ω @ 6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    570pF @ 10V
    5.2nC @ 4.5V
    13.5ns
    6.1 ns
    6.7A
    12V
    -
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    24 Weeks
    157.991892mg
    Automotive, AEC-Q101
    yes
    5.2 ns
    1.025mm
    4.5mm
    3.1mm
    无SVHC
    无
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