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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.819622
10
¥0.773229
100
¥0.729462
500
¥0.688171
1000
¥0.649218
Diodes Incorporated DMN2019UTS-13
- 收藏
- 对比
DMN2019UTS-13
671-DMN2019UTS-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
大陆
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MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2019UTS-13详情
Diodes Incorporated DMN2019UTS-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
质量
157.991892mg
Turn Off Delay Time
562 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
18.5mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
780mW
基本部件号
DMN2019
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
53 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
18.5m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
143pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.8nC @ 4.5V
上升时间
78ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
234 ns
连续放电电流(ID)
5.4A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN2019UTS-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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