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首页 全部分类 NTTFS4930NTAG vs IRFTS8342TRPBF

NTTFS4930NTAG备选型号: IRFTS8342TRPBF

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTTFS4930NTAG
    ON Semiconductor
    Single N-Channel Power MOSFET 30V, 23A, 23mO
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    4.5A Ta 23A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.06W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 6A, 10V
    2.2V @ 250μA
    476pF @ 15V
    5.5nC @ 4.5V
    26.6ns
    ±20V
    3.6 ns
    9.6A
    20V
    7.2A
    0.03Ohm
    30V
    45A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFTS8342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    SOT-23-6
    -
    6
    SILICON
    8.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 8.2A, 10V
    2.35V @ 25μA
    560pF @ 25V
    4.8nC @ 4.5V
    15ns
    ±20V
    8.2 ns
    8.2A
    20V
    -
    -
    30V
    80A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    表面贴装
    HEXFET®
    EAR99
    19MOhm
    7.3 ns
    1.8V
    12 ns
    1.8 V
    1.3mm
    3mm
    1.75mm
    无SVHC
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