NTTFS4930NTWG备选型号: IRF7902TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- 电阻
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHMACTIVE (Last Updated: 2 days ago)18 Weeks表面贴装8-PowerWDFNYES8SILICON4.5A Ta 23A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT8S-PDSO-F5Single增强型MOSFET2.06WDRAINN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 6A, 10V2.2V @ 250μA476pF @ 15V5.5nC @ 4.5V26.6ns±20V3.6 ns9.6A20V7.2A0.03Ohm30V45A无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC-12 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-8SILICON6.4A 9.7A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1999e3-Obsolete1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)-鸥翼--Dual增强型MOSFET2W-2 N-Channel (Dual)SWITCHING22.6m Ω @ 6.4A, 10V2.25V @ 25μA580pF @ 15V6.9nC @ 4.5V---9.7A20V--30V-无ROHS3 Compliant无铅表面贴装HEXFET®22.6MOhm2WIRF7902PBF1.4W 2W7.3 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.4986mm4.9784mm3.9878mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFTS8342TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP | 对比 |
![]() | IRF7416TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | 对比 |




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