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首页 全部分类 NTTFS4932NTAG vs IRLB8743PBF

NTTFS4932NTAG备选型号: IRLB8743PBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NTTFS4932NTAG
    ON Semiconductor
    On a Reel of 1500, ON Semiconductor, NTTFS4932NTAG Transistor and Digital Transistor, 8-Pin WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    11A Ta 79A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    8
    S-XDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    2.2W
    DRAIN
    15.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3111pF @ 15V
    46.5nC @ 10V
    22.6ns
    ±20V
    4.8 ns
    79A
    1.6V
    20V
    0.0055Ohm
    30V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLB8743PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
    -
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    SILICON
    78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 40A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5110pF @ 15V
    54nC @ 4.5V
    92ns
    ±20V
    36 ns
    150A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    HEXFET®
    通孔
    8.7MOhm
    TO-220AB
    78A
    620A
    30V
    44 ns
    1.8 V
    9.02mm
    10.668mm
    4.826mm
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