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首页 全部分类 NTTFS4937NTAG vs IRF8734TRPBF

NTTFS4937NTAG备选型号: IRF8734TRPBF

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  • 引脚数量
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 电阻
  • 终端形式
  • 配置
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NTTFS4937NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    11A Ta 75A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    8
    S-XDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    4.7W
    DRAIN
    13.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2540pF @ 15V
    35.5nC @ 10V
    21.2ns
    30V
    ±20V
    7.4 ns
    17A
    20V
    75A
    0.007Ohm
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8734TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 21A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3175pF @ 15V
    30nC @ 4.5V
    16ns
    -
    ±20V
    8 ns
    21A
    20V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    HEXFET®
    3.5MOhm
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    1.4986mm
    3.9878mm
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