NTTFS4985NFTWG备选型号: NTMFS4985NFT3G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 下降时间(典型值)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 64A U8FL18 Weeks表面贴装8-PowerWDFNYES8SILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明8R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.5m Ω @ 20A, 10V2.3V @ 250μA2075pF @ 15V29.4nC @ 10V24ns30V±20V64A20V16.3A0.0052Ohm192A30V52 mJROHS3 Compliant无铅------
- Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin SO-FL T/R2 Weeks表面贴装8-PowerTDFNYES5SILICON17.5A Ta 65A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT---5-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.4m Ω @ 30A, 10V2.3V @ 1mA2100pF @ 15V30.5nC @ 10V32ns-±20V65A20V-----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)111 ns6 ns30V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN | 对比 |
| NTMFS4985NFT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin SO-FL T/R | 对比 | |
![]() | IRLB8743PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB | 对比 |




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