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首页 全部分类 NTTFS4C08NTAG vs BSC120N03LSGATMA1

NTTFS4C08NTAG备选型号: BSC120N03LSGATMA1

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  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
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  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • ON Semiconductor
    NTTFS4C08NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    9.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8
    1
    Single
    N-Channel
    5.9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    1113pF @ 15V
    18.2nC @ 10V
    ±20V
    9.3A
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC120N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON
    -
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    12A Ta 39A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8
    -
    -
    N-Channel
    12m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    1200pF @ 15V
    15nC @ 10V
    ±20V
    12A
    20V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    表面贴装
    SILICON
    OptiMOS™
    5
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    28W
    DRAIN
    2.7 ns
    SWITCHING
    2.2ns
    2.2 ns
    30V
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