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NTTFS4H05NTWG备选型号: IRFH4255DTRPBF
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 系列
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- 长度
- 宽度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHMACTIVE (Last Updated: 1 week ago)16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8SILICON22.4A Ta 94A Tc150°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明S-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.3m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 250μA1205pF @ 12V18.9nC @ 10V25V±20V94A22.4A304A25VROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN--表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013--Obsolete1 (Unlimited)-EAR99----------2 N-Channel (Dual)-3.2m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 35μA1314pF @ 13V15nC @ 4.5V25V-30A---符合RoHS标准无铅TinHEXFET®38WIRFH4255Dual31W 38W1.6V20V逻辑电平门6mm5mm900μm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PSMN3R7-25YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK | 对比 |
 | BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON | 对比 |
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