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首页 全部分类 NTTFS4H07NTAG vs IRF6711STRPBF

NTTFS4H07NTAG备选型号: IRF6711STRPBF

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTTFS4H07NTAG
    ON Semiconductor
    Single N-Channel Power MOSFET 25V, 66A, 4.8mO
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    18.5A Ta 66A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    1
    5 ns
    N-Channel
    4.8m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    771pF @ 12V
    12.4nC @ 10V
    28.3ns
    ±20V
    1.65 ns
    66A
    20V
    25V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6711STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    19A Ta 84A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    7.7 ns
    N-Channel
    3.8m Ω @ 19A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    5.4 ns
    19A
    20V
    25V
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    HEXFET®
    4
    BOTTOM
    R-XBCC-N4
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    SWITCHING
    84A
    0.0038Ohm
    62 mJ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
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