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首页 全部分类 NTTFS5116PLTAG vs ZXMN6A25KTC

NTTFS5116PLTAG备选型号: ZXMN6A25KTC

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 端子表面处理
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    NTTFS5116PLTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET PFET U8FL 60V
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    5.7A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    52MOhm
    DUAL
    FLAT
    260
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    40W
    DRAIN
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    52m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    1258pF @ 30V
    25nC @ 10V
    58ns
    60V
    ±20V
    37 ns
    5.7A
    -3V
    20V
    20A
    -60V
    76A
    45 mJ
    750μm
    3.15mm
    3.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN6A25KTC
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V DPAK
    -
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    SILICON
    7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    50mOhm
    -
    鸥翼
    260
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.11W
    DRAIN
    3.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 3.6A, 10V
    3V @ 250μA
    1063pF @ 30V
    20.4nC @ 10V
    4ns
    60V
    ±20V
    10.6 ns
    10.7A
    -
    20V
    7A
    -
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    3.949996g
    Matte Tin (Sn)
    40
    1
    60V
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