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首页 全部分类 NTTFS5116PLTWG vs NVTFS5116PLTAG

NTTFS5116PLTWG备选型号: NVTFS5116PLTAG

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  • 引脚数量
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无卤素
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTTFS5116PLTWG
    ON Semiconductor
    MOSFET PFET U8FL 60V
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    5.7A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    40W
    DRAIN
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    52m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    1258pF @ 30V
    25nC @ 10V
    58ns
    60V
    ±20V
    37 ns
    5.7A
    20V
    20A
    0.072Ohm
    -60V
    76A
    45 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTFS5116PLTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    6A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    21W
    DRAIN
    14 ns
    P-Channel
    -
    52m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    1258pF @ 25V
    25nC @ 10V
    68ns
    60V
    ±20V
    36 ns
    6A
    20V
    6A
    0.072Ohm
    -60V
    -
    45 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    无卤素
    -3V
    无SVHC
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