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首页 全部分类 NTTFS5811NLTAG vs BSC886N03LSGATMA1

NTTFS5811NLTAG备选型号: BSC886N03LSGATMA1

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 系列
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    NTTFS5811NLTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET Single N-CH 40V 53A
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    17A Ta 53A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    6.4MOhm
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    33W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    6.4m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1570pF @ 25V
    31nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    12 ns
    53A
    1.7V
    20V
    40V
    65 mJ
    1.7 V
    800μm
    3.15mm
    3.15mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC886N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
    -
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    SILICON
    13A Ta 65A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    无铅
    -
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    4.2 ns
    N-Channel
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2100pF @ 15V
    26nC @ 10V
    3.2ns
    ±20V
    3 ns
    65A
    2.2V
    20V
    -
    20 mJ
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    OptiMOS™
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    30V
    0.0092Ohm
    260A
    30V
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