NTTFS5826NLTWG备选型号: NVD5867NLT4G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFNLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)表面贴装8-PowerWDFNYES8SILICON8A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011e3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT8S-PDSO-F5Single增强型MOSFET19WDRAINN-ChannelSWITCHING24m Ω @ 7.5A, 10V3V @ 250μA850pF @ 25V25nC @ 10V±20V20A20V8A0.032Ohm60V133A20 mJ无符合RoHS标准无铅----------
- MOSFET NFET 60V 18A 43MOHMLIFETIME (Last Updated: 4 hours ago)表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES4SILICON6A Ta 22A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2010e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.3WDRAINN-Channel-39m Ω @ 11A, 10V2.5V @ 250μA675pF @ 25V15nC @ 10V±20V22A20V6A0.05Ohm-85A-无ROHS3 Compliant无铅48 WeeksAutomotive, AEC-Q1016.5 ns12.6ns60V2.4 ns60V2.38mm6.73mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVD5867NLT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM | 对比 | |
| FQP20N06L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 21A TO-220 | 对比 | |
![]() | STD20NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |



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