NTTFS5C673NLTAG备选型号: IRLR3636TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- ECCN 代码
- 通道数量
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8SILICON13A Ta 50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016e3yes活跃1 (Unlimited)5Tin (Sn)DUALFLATnot_compliantR-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel9.3m Ω @ 25A, 10V2V @ 250μA880pF @ 25V9.5nC @ 10V60V±20V50A2V0.013Ohm290A60V无SVHCROHS3 Compliant无铅-------------------
- MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009--活跃1 (Unlimited)2--鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-Channel6.8m Ω @ 50A, 10V2.5V @ 100μA3779pF @ 50V49nC @ 4.5V-±16V99A2.5V---无SVHCROHS3 Compliant无铅HEXFET®EAR99160VSingle50A143W45 nsSWITCHING216ns69 nsTO-252AA16V60V175°C2.52mm6.7056mm6.22mm无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQB50N06LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IRLR3636PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK | 对比 |
![]() | IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK | 对比 |




哦! 它是空的。