Infineon Technologies IRLR3636TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

143W Tc

Turn Off Delay Time

43 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

电压

60V

元素配置

Single

电流

50A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

143W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

45 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.8m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3779pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

49nC @ 4.5V

上升时间

216ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

69 ns

连续放电电流(ID)

99A

阈值电压

2.5V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

60V

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

2.52mm

长度

6.7056mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅