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NTZD3155CT1H备选型号: NTZD3154NT2G
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- 最大功率耗散
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- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管技术
- 场效应管特性
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- 生命周期状态
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 无铅
MOSFET COMP SOT563 20V 540MA TR26 Weeks表面贴装SOT-563, SOT-666YES68.193012mgSILICON540mA 430mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)250mWFLAT2Dual增强型MOSFETN and P-ChannelSWITCHING550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16V2.5nC @ 4.5V20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL430mA6V0.54A0.55OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard无符合RoHS标准-------------- MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563-表面贴装SOT-563, SOT-666YES6-SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)250mWFLAT-Dual增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)SWITCHING550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16V2.5nC @ 4.5V20V-540mA6V0.54A0.55OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard-符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)yes26040NTZD3154N6不合格250mW4ns4 ns20V20 pF无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTZD3154NT1H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | Trans Mosfet N-ch 20V 0.54A 6-PIN SOT-563 T/r | 对比 |
| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | ON SEMICONDUCTOR - NTZD3154NT1G - Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-563, Surface Mount | 对比 |
| NTZD3154NT2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 | 对比 |
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