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NTZD3155CT2G备选型号: NTZD3154NT1H
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- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
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- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 WeeksTin表面贴装SOT-563, SOT-666YES6SILICON540mA 430mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9920V250mWFLAT260540mA40NTZD3155C6Dual增强型MOSFET250mWN and P-ChannelSWITCHING550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16V2.5nC @ 4.5V12nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL19 ns540mA6V0.54A0.55Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------ Trans Mosfet N-ch 20V 0.54A 6-PIN SOT-563 T/r-5 Weeks-表面贴装SOT-563, SOT-666YES6SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3-Obsolete1 (Unlimited)6EAR99-250mWFLAT-----Dual增强型MOSFET-2 N-Channel (Dual)SWITCHING550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16V2.5nC @ 4.5V4ns-8 ns540mA6V0.54A0.55Ohm-METAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard--无符合RoHS标准-Tin (Sn)6 ns20V20V20 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTZD3154NT1H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | Trans Mosfet N-ch 20V 0.54A 6-PIN SOT-563 T/r | 对比 |
| NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | ON SEMICONDUCTOR - NTZD3154NT1G - Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-563, Surface Mount | 对比 |
| NTZD3154NT2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 | 对比 |
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