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NVB6410ANT4G备选型号: NTB6410ANG
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOHLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)25 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON76A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET188WDRAIN17 nsN-Channel13m Ω @ 76A, 10V4V @ 250μA4500pF @ 25V120nC @ 10V170ns±20V190 ns76A20V100V500 mJ无符合RoHS标准无铅------- MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOHLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON76A Tc-55°C~175°C TJTube2009e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET188WDRAIN17 nsN-Channel13m Ω @ 76A, 10V4V @ 250μA4500pF @ 25V120nC @ 10V170ns±20V190 ns76A20V100V500 mJ无符合RoHS标准无铅4.535924g4 V4.83mm10.29mm9.65mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB6411ANT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK | 对比 |
| NTB6410ANG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH | 对比 |
| NTB6410ANT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH | 对比 |
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