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NVB6412ANT4G备选型号: AUIRF3710ZS
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 系列
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MOLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)25 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON58A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明未说明3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET167WDRAINN-Channel18.2m Ω @ 58A, 10V4V @ 250μA3500pF @ 25V100nC @ 10V100V±20V58A20V240A符合RoHS标准无铅----------------
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK-16 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3SILICON59A Tc-55°C~175°C TJTube2010e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼26030-R-XSSO-G2Single增强型MOSFET160W-N-Channel18m Ω @ 35A, 10V4V @ 250μA2900pF @ 25V120nC @ 10V-±20V59A20V240AROHS3 Compliant-Tin表面贴装HEXFET®17 nsSWITCHING77ns56 ns2V100V200 mJ2 V4.83mm10.67mm11.3mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 对比 |
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK | 对比 |
 | FDB3652-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | 对比 |
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