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'nvb6412ant4g'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

场效应管类型

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

RoHS状态

无铅

NVB6412ANT4G
NVB6412ANT4G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

25 Weeks

表面贴装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

YES

3

SILICON

1

58A Tc

10V

167W Tc

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2009

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin (Sn)

鸥翼

未说明

未说明

R-PSSO-G2

Single

增强型MOSFET

167W

DRAIN

N-Channel

18.2m Ω @ 58A, 10V

3500pF @ 25V

100nC @ 10V

100V

±20V

58A

20V

240A

符合RoHS标准

无铅