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首页 全部分类 NVD5805NT4G vs STD44N4LF6

NVD5805NT4G备选型号: STD44N4LF6

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • ON Semiconductor
    NVD5805NT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 51A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    34 Weeks
    YES
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    4
    SILICON
    3.5V @ 250μA
    22.9 ns
    2012
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    47W
    DRAIN
    10.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.5m Ω @ 15A, 10V
    1725pF @ 25V
    80nC @ 10V
    17.9ns
    ±20V
    4.5 ns
    51A
    20V
    0.0095Ohm
    40V
    85A
    80 mJ
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD44N4LF6
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 40V 44A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    SILICON
    2.5V @ 250μA
    5V 10V
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12.5m Ω @ 20A, 10V
    1190pF @ 25V
    22nC @ 10V
    45ns
    ±20V
    8 ns
    44A
    20V
    -
    40V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    表面贴装
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    260
    STD44
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