NVD5865NLT4G备选型号: FQD17P06TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- MOSFET NFET 60V 34A 18MOHMLIFETIME (Last Updated: 3 hours ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-634SILICON10A Ta 46A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.1WDRAIN8.4 nsN-Channel16m Ω @ 19A, 10V2V @ 250μA1400pF @ 25V29nC @ 10V12.4ns60V±20V4.4 ns10A20V38A203A60V36 mJ2.38mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅----------
- QF -60V 135MOHM DPAKACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON12A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET2.5WDRAIN13 nsP-Channel135m Ω @ 6A, 10V4V @ 250μA900pF @ 25V27nC @ 10V100ns60V±25V60 ns12mA25V-48A--2.39mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅Tin260.37mgQFET®135mOhm-60V-12ASWITCHING-4V-60V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQD13N06LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |



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