ON Semiconductor NVD5865NLT4G

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 3 hours ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta 46A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 71W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

16m Ω @ 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

上升时间

12.4ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.4 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

38A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

203A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

36 mJ

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅