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首页 全部分类 NVD5890NLT4G vs NVD5802NT4G

NVD5890NLT4G备选型号: NVD5802NT4G

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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVD5890NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET 40V T2 DPAK USR GRESHAM F
    LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    SILICON
    24A Ta 123A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    4W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 50A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4760pF @ 25V
    42nC @ 4.5V
    40V
    ±20V
    123A
    20V
    0.0055Ohm
    400A
    40V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVD5802NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
    LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    SILICON
    16.4A Ta 101A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    -
    -
    -
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.4m Ω @ 50A, 10V
    3.5V @ 250μA
    5300pF @ 12V
    100nC @ 10V
    40V
    ±20V
    101A
    20V
    0.0078Ohm
    -
    40V
    2.38mm
    6.22mm
    6.73mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    27 Weeks
    52ns
    8.5 ns
    16.4A
    240 mJ
    无
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