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NVF2955T1G备选型号: NVF3055L108T1G
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)12 Weeks表面贴装TO-261-4, TO-261AAYES4250.212891mgSILICON2.6A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012008e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99170MOhmTin (Sn)DUAL鸥翼41Single增强型MOSFET2.3WDRAIN11 nsP-ChannelSWITCHING170m Ω @ 750mA, 10V4V @ 1mA492pF @ 25V14.3nC @ 10V7.6ns60V±20V38 ns2.6A20V-60V225 mJ1.65mm6.7mm3.7mm无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET NFET 60V 3A 0.120RACTIVE (Last Updated: 1 week ago)20 Weeks表面贴装TO-261-4, TO-261AAYES4-SILICON3A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012005e3yes不用于新设计1 (Unlimited)4EAR99120MOhmTin (Sn)DUAL鸥翼4-Single增强型MOSFET2.1WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING120m Ω @ 1.5A, 5V2V @ 250μA440pF @ 25V15nC @ 5V35ns-±15V27 ns3A15V60V-1.65mm6.7mm3.7mm无ROHS3 Compliant无铅3A9A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVF3055L108T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET NFET 60V 3A 0.120R | 对比 |
| NTF3055L108T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
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