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首页 全部分类 NVMD6N03R2G vs NTMSD6N303R2

NVMD6N03R2G备选型号: NTMSD6N303R2

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  • 配置
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 系列
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NVMD6N03R2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    1.29W
    鸥翼
    260
    30
    NTMD6N03
    AEC-Q101
    R-PDSO-G8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    32m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    950pF @ 24V
    30nC @ 10V
    30V
    6A
    20V
    6A
    0.032Ohm
    30A
    30V
    325 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMSD6N303R2
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    240
    30
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    32m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    950pF @ 24V
    30nC @ 10V
    -
    6A
    20V
    6A
    0.032Ohm
    30A
    -
    325 mJ
    -
    Schottky Diode (Isolated)
    -
    Non-RoHS Compliant
    OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
    8
    FETKY™
    no
    30V
    DUAL
    not_compliant
    6A
    8
    不合格
    2W
    22ns
    ±20V
    45 ns
    30V
    含铅
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NTMSD6N303R2 NTMSD6N303R2 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC 对比