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首页 全部分类 NVMFD5483NLWFT1G vs NVMFD5877NLT3G

NVMFD5483NLWFT1G备选型号: NVMFD5877NLT3G

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NVMFD5483NLWFT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    6.4A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    3.1W
    8
    2
    Dual
    6.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    36m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    668pF @ 25V
    23.4nC @ 10V
    10.3ns
    60V
    23.5 ns
    24A
    20V
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFD5877NLT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 10 hours ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    6A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    3.2W
    8
    -
    Dual
    8.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    39m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    无卤素
    540pF @ 25V
    20nC @ 10V
    -
    60V
    -
    17A
    20V
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    YES
    SILICON
    6
    FLAT
    R-PDSO-F6
    增强型MOSFET
    23W
    DRAIN
    SWITCHING
    6A
    0.06Ohm
    74A
    60V
    10.5 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
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