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首页 全部分类 NVMFD5485NLT3G vs NVMFD5877NLWFT1G

NVMFD5485NLT3G备选型号: NVMFD5877NLWFT1G

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  • 场效应管特性
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  • 无铅
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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • ON Semiconductor
    NVMFD5485NLT3G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.9W
    8
    Dual
    2.9W
    9.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    44m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    560pF @ 25V
    20nC @ 10V
    26.6ns
    60V
    23.7 ns
    5.3A
    20V
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFD5877NLWFT1G
    ON Semiconductor
    Dual N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 17A, 39mO
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    6A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    3.2W
    8
    Dual
    3.2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    39m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    无卤素
    540pF @ 25V
    20nC @ 10V
    -
    60V
    -
    17A
    20V
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    YES
    SILICON
    6
    FLAT
    AEC-Q101
    R-PDSO-F6
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6A
    0.06Ohm
    74A
    60V
    40 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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