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首页 全部分类 NVMFD5852NLT1G vs NTMFD4901NFT1G

NVMFD5852NLT1G备选型号: NTMFD4901NFT1G

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVMFD5852NLT1G
    ON Semiconductor
    NVMFD5852NLT1G Dual N-channel MOSFET Transistor, 44 A, 40 V, 8-Pin DFN
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    3.2W
    FLAT
    not_compliant
    8
    AEC-Q101
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    12 ns
    2 N-Channel (Dual)
    6.9m Ω @ 20A, 10V
    2.4V @ 250μA
    无卤素
    1800pF @ 25V
    36nC @ 10V
    40V
    15A
    20V
    44A
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFD4901NFT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    8
    SILICON
    10.3A 17.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.2W
    FLAT
    -
    8
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    -
    排水源头
    -
    2 N-Channel (Dual), Schottky
    6.5m Ω @ 10A, 10V
    2.2V @ 250μA
    -
    1150pF @ 15V
    9.7nC @ 4.5V
    30V
    17.9A
    20V
    13.5A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.1W 1.2W
    SWITCHING
    0.01Ohm
    60A
    30V
    无
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