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首页 全部分类 NVMFD5852NLT1G vs NVMFD5853NWFT1G

NVMFD5852NLT1G备选型号: NVMFD5853NWFT1G

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • ON Semiconductor
    NVMFD5852NLT1G
    ON Semiconductor
    NVMFD5852NLT1G Dual N-channel MOSFET Transistor, 44 A, 40 V, 8-Pin DFN
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    3.2W
    FLAT
    not_compliant
    8
    AEC-Q101
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    12 ns
    2 N-Channel (Dual)
    6.9m Ω @ 20A, 10V
    2.4V @ 250μA
    无卤素
    1800pF @ 25V
    36nC @ 10V
    40V
    15A
    20V
    44A
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFD5853NWFT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    -
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Tin (Sn)
    3.1W
    -
    not_compliant
    8
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.1W
    -
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    10m Ω @ 15A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    1225pF @ 25V
    24nC @ 10V
    40V
    12A
    20V
    53A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    20ns
    3 ns
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