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首页 全部分类 NVMFS4C01NT3G vs STL260N3LLH6

NVMFS4C01NT3G备选型号: STL260N3LLH6

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • ON Semiconductor
    NVMFS4C01NT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    49A Ta 319A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    0.9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    10144pF @ 15V
    139nC @ 10V
    30V
    ±20V
    319A
    0.00095Ohm
    900A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL260N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    -
    -
    260A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    N-Channel
    1.3m Ω @ 22.5A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    6375pF @ 25V
    61.5nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    260A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    STripFET™ H6
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL260
  • 添加型号
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