NVMFS4C05NT3G备选型号: STL110NS3LLH7
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MOACTIVE, NOT REC (Last Updated: 12 hours ago)38 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN824.7A Ta 116A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明Single18 nsN-Channel3.4m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA1972pF @ 15V30nC @ 10V26ns30V±20V5 ns116A20VROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT--表面贴装表面贴装8-PowerVDFN84W Ta 75W Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)---Obsolete1 (Unlimited)EAR99-未说明-未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-26.4 nsN-Channel3.4m Ω @ 14A, 10V2.3V @ 1mA2110pF @ 25V13.7nC @ 4.5V10.4ns30V±20V12.5 ns120A20VROHS3 Compliant-TinSILICONSTripFET™ H75DUALFLATSTL110R-PDSO-F5增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.005Ohm30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4898NFT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM | 对比 | |
![]() | IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | STL150N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6 | 对比 |





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