STMicroelectronics STL110NS3LLH7

包装/外壳

8-PowerVDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

4W Ta 75W Tc

Turn Off Delay Time

31.8 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

系列

STripFET™ H7

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL110

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

26.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.4m Ω @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2110pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.7nC @ 4.5V

上升时间

10.4ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12.5 ns

连续放电电流(ID)

120A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.005Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant