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首页 全部分类 NVMFS5113PLT1G vs DMT69M8LPS-13

NVMFS5113PLT1G备选型号: DMT69M8LPS-13

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • ON Semiconductor
    NVMFS5113PLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10A Ta 64A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    150W
    DRAIN
    15 ns
    P-Channel
    14m Ω @ 17A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4400pF @ 25V
    83nC @ 10V
    60V
    ±20V
    -10A
    -2.5V
    20V
    -60V
    175°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMT69M8LPS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    10.2A Ta 70A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    not_compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    12m Ω @ 13.5A, 10V
    2V @ 250μA
    1925pF @ 30V
    33.5nC @ 10V
    60V
    ±16V
    70A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Automotive, AEC-Q101
    EAR99
    未说明
    未说明
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMT69M8LPS-13 DMT69M8LPS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI 对比