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首页 全部分类 NVMFS5832NLT3G vs NVMFS5C442NLT1G

NVMFS5832NLT3G备选型号: NVMFS5C442NLT1G

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  • 端子表面处理
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  • Reach合规守则
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 配置
  • 通道数量
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    NVMFS5832NLT3G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4 Tab) SO-FL T/R
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    5
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    5
    Single
    增强型MOSFET
    3.7W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    4.2m Ω @ 20A, 10V
    2.4V @ 250μA
    无卤素
    2700pF @ 25V
    51nC @ 10V
    24ns
    40V
    ±20V
    8 ns
    21A
    20V
    0.0072Ohm
    40V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C442NLT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 27A Automotive 5-Pin(4 Tab) SO-FL T/R
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    -
    27A Ta 127A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    -
    3.7W
    -
    12 ns
    N-Channel
    2.8m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    -
    3100pF @ 25V
    50nC @ 10V
    72ns
    -
    ±20V
    8.4 ns
    127A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    Single
    1
    40V
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