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首页 全部分类 NVMFS5844NLT1G vs NVMFD5873NLT1G

NVMFS5844NLT1G备选型号: NVMFD5873NLT1G

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • JESD-30代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    NVMFS5844NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET SO8FL 60V
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 22 hours ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    5
    SILICON
    11.2A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    12mOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    5
    AEC-Q101
    Single
    增强型MOSFET
    107W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    12m Ω @ 10A, 10V
    2.3V @ 250μA
    无卤素
    1460pF @ 25V
    30nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    10 ns
    11.2A
    20V
    61A
    60V
    247A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFD5873NLT1G
    ON Semiconductor
    Power MOSFET 60V, 58A, 13 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    FLAT
    8
    AEC-Q101
    Dual
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    -
    2 N-Channel (Dual)
    13m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    1560pF @ 25V
    30.5nC @ 10V
    -
    -
    -
    10A
    20V
    -
    60V
    190A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.1W
    R-PDSO-F6
    60V
    0.013Ohm
    40 mJ
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