NVMFS5C673NLT1G备选型号: IPD50N06S4L08ATMA2
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 质量
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 最大rds
- MOSFET N-CH 60V SO8FLACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)38 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON4.5V 10V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015e3yesDiscontinued1 (Unlimited)5Tin (Sn)DUALFLATnot_compliantAEC-Q101R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel9.2m Ω @ 25A, 10V2V @ 35μA880pF @ 25V9.5nC @ 10V60V±20V0.013Ohm290A60VROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-4.5V 10V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)1999--活跃1 (Unlimited)----------N-Channel7.8mOhm @ 50A, 10V2.2V @ 35μA4780pF @ 25V64nC @ 10V60V±16V---ROHS3 Compliant无铅PG-TO252-3-113.949996gAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™175°C-55°C19 ns无卤素2ns8 ns50A16V60V4.78nF7.8 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS5C673NLTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 | 对比 | |
| NTMFS5C673NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V SO8FL | 对比 | |
![]() | DMT6010LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | 对比 |




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