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NVMFS5C682NLT1G备选型号: DMTH6016LPSQ-13
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 60V SO8FLACTIVE, NOT REC (Last Updated: 17 hours ago)38 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN84.5V 10V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015e3yesDiscontinued1 (Unlimited)Tin (Sn)not_compliantN-Channel21m Ω @ 10A, 10V2V @ 16μA410pF @ 25V5nC @ 10V60V±20VROHS3 Compliant无铅-------------------
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI-18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN89.8A Ta 37A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016e3-活跃1 (Unlimited)Matte Tin (Sn)not_compliantN-Channel16m Ω @ 20A, 10V2.5V @ 250μA864pF @ 30V17nC @ 10V60V±20VROHS3 Compliant-SILICONAutomotive, AEC-Q1015EAR99HIGH RELIABILITYDUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING37A0.016Ohm75A60V11.7 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD86580-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD86580_F085 MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3.6 VNew | 对比 |
| DMTH6016LPSQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | 对比 |
 | DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC | 对比 |
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