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首页 全部分类 NVTFS4C08NTWG vs FDMS7678

NVTFS4C08NTWG备选型号: FDMS7678

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  • 配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 系列
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C08NTWG
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    17A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    31W
    DRAIN
    N-Channel
    5.9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1113pF @ 15V
    18.2nC @ 10V
    30V
    ±20V
    17A
    20V
    55A
    0.0059Ohm
    253A
    30V
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7678
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDMS7678 - MOSFET, N-CH, 30V, 8PQFN
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    17.5A Ta 26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    -
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    41W
    DRAIN
    N-Channel
    5.5m Ω @ 17.5A, 10V
    3V @ 250μA
    2410pF @ 15V
    39nC @ 10V
    -
    ±20V
    17.5A
    20V
    26A
    0.0055Ohm
    70A
    -
    54 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    74mg
    PowerTrench®
    Single
    10 ns
    SWITCHING
    4ns
    3 ns
    1.5V
    MO-240AA
    30V
    1.5 V
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
    无SVHC
    无
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