Infineon Technologies IRFH4234TRPBF
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IRFH4234TRPBF
1211-IRFH4234TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
--最小包装量--
IRFH4234TRPBF详情
Infineon Technologies IRFH4234TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
22A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.5W Ta 27W Tc
Turn Off Delay Time
8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
元素配置
Single
功率耗散
3.5W
接通延迟时间
7.8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.6m Ω @ 30A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1011pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
30ns
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.3 ns
连续放电电流(ID)
22A
阈值电压
1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
60A
高度
900μm
长度
6mm
宽度
5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRFH4234TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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