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首页 全部分类 NVTFS4C13NTAG vs IRFHM8330TRPBF

NVTFS4C13NTAG备选型号: IRFHM8330TRPBF

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  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C13NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    14A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    AEC-Q101
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.4m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    770pF @ 15V
    15.2nC @ 10V
    ±20V
    14A
    20V
    40A
    0.0094Ohm
    30V
    152A
    10 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8330TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6.6m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1450pF @ 25V
    20nC @ 10V
    ±20V
    16A
    20V
    55A
    0.0066Ohm
    30V
    -
    42 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    1
    2.7W
    9.2 ns
    15ns
    5.7 ns
    1.8V
    无SVHC
    无
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