NVTFS4C13NWFTWG备选型号: DMN3007LSS-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 电阻
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 40A U8FLACTIVE (Last Updated: 1 week ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8SILICON14A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATnot_compliantAEC-Q101S-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING9.4m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 250μA770pF @ 15V15.2nC @ 10V30V±20V14A40A0.0094Ohm152A30V10 mJROHS3 Compliant无铅-------------------
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC-7 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON16A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010e3yesObsolete1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING7m Ω @ 15A, 10V2.1V @ 250μA2714pF @ 15V64.2nC @ 10V-±20V16A--64A--ROHS3 Compliant无铅850.995985mg7MOhmHIGH RELIABILITY2604081Single2.5W10.3 ns14.8ns43.6 ns20V30V1.5mm5.3mm4.1mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | 对比 |




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