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首页 全部分类 NVTFS4C25NWFTAG vs IRFHS8342TR2PBF

NVTFS4C25NWFTAG备选型号: IRFHS8342TR2PBF

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C25NWFTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    10.1A Ta 22.1A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    not_compliant
    Single
    N-Channel
    17m Ω @ 10A, 10V
    2.2V @ 250μA
    500pF @ 15V
    10.3nC @ 10V
    30V
    ±20V
    22.1A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHS8342TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    8.8A Ta 19A Tc
    -
    Digi-Reel®
    2010
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    16mOhm @ 8.5A, 10V
    2.35V @ 25μA
    600pF @ 25V
    8.7nC @ 10V
    30V
    -
    8.8A
    符合RoHS标准
    -
    PG-TSDSON-6
    HEXFET®
    150°C
    -55°C
    2.1W
    Single
    2.1W
    5.9 ns
    15ns
    5 ns
    1.8V
    20V
    30V
    600pF
    17 ns
    16mOhm
    16 mΩ
    1.8 V
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
    无SVHC
    无
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