Infineon Technologies IRFHS8342TR2PBF
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IRFHS8342TR2PBF
1211-IRFHS8342TR2PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
1最小包装量--
IRFHS8342TR2PBF详情
Infineon Technologies IRFHS8342TR2PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-PowerVDFN
引脚数
6
供应商器件包装
PG-TSDSON-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.8A Ta 19A Tc
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
5.2 ns
包装
Digi-Reel®
系列
HEXFET®
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2.1W
元素配置
Single
功率耗散
2.1W
接通延迟时间
5.9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
600pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.7nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
8.8A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
600pF
恢复时间
17 ns
漏源电阻
16mOhm
最大rds
16 mΩ
栅源电压
1.8 V
高度
950μm
长度
2.1mm
宽度
2.1mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRFHS8342TR2PBF拓展信息
Infineon Technologies
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