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首页 全部分类 NVTFS5124PLTWG vs NDT014

NVTFS5124PLTWG备选型号: NDT014

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVTFS5124PLTWG
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
    18 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    YES
    8-PowerWDFN
    表面贴装
    8
    SILICON
    3W Ta 18W Tc
    2013
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    7 ns
    P-Channel
    260m Ω @ 3A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    250pF @ 25V
    6nC @ 10V
    14ns
    60V
    ±20V
    10 ns
    2.4A
    20V
    6A
    -60V
    24A
    3.15mm
    3.15mm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NDT014
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    -
    TO-261-4, TO-261AA
    表面贴装
    3
    SILICON
    2.7A Ta
    1998
    Tape & Reel (TR)
    -65°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PDSO-G4
    -
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    200m Ω @ 1.6A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    155pF @ 25V
    11nC @ 10V
    64ns
    -
    ±20V
    10 ns
    2.7A
    20V
    -
    60V
    -
    3.7mm
    6.7mm
    1.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    188mg
    SMD/SMT
    200mOhm
    60V
    2.7A
    SWITCHING
    3V
    60V
    3 V
    无SVHC
    无
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