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首页 全部分类 NVTFS5811NLWFTWG vs FDD8453LZ

NVTFS5811NLWFTWG备选型号: FDD8453LZ

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 电阻
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NVTFS5811NLWFTWG
    ON Semiconductor
    MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    16A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8
    1
    Single
    11 ns
    N-Channel
    6.7m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    1570pF @ 25V
    30nC @ 10V
    55ns
    40V
    ±20V
    40 ns
    16A
    20V
    40A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8453LZ
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    16.4A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    11 ns
    N-Channel
    6.7m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    -
    3515pF @ 20V
    64nC @ 10V
    6ns
    -
    ±20V
    5 ns
    16.4A
    20V
    50A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    表面贴装
    260.37mg
    SILICON
    PowerTrench®
    2
    6.7MOhm
    鸥翼
    FDD8453
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
    40V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
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